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GeneSiC Semiconductor MBR20060CTR

Name: MBR20060CTR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: MBR20060CTR-DS
Price: 150.3250 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

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Hersteller Modell :MBR20060CTR
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :MBR20060CTR-DS
Dokument : MBR20060CTR Dokument PDF
Beschreibung : DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
Verpackung :-
Einzelpreis: $150.3250
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GeneSiC Semiconductor MBR20060CTR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

製品ステータス:Active

取り付けタイプ:Chassis Mount

パッケージ/ケース:Twin Tower

サプライヤーデバイスパッケージ:Twin Tower

スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ダイオードタイプ:Schottky

電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:750 mV @ 100 A

電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 mA @ 20 V

ダイオード構成:1 Pair Common Anode

電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):60 V

電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A (DC)

逆回復時間 (trr):-

動作温度 - 接合部:-

EU RoHS ステータス:RoHS Compliant

モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

輸出規制分類番号:EAR99

HTS 米国:8541.10.0080

REACH規則:REACH is not affected

中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

MBR20060CTR bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。