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  • MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ110A

    TVS DIODE UP 110VRWM 177VC
  • part number has RoHS
  • Bagian Produsen # :MSMBJ110A
  • Pabrikan :MDE Semiconductor, Inc.
  • Nomor Bagian Dasenic :MSMBJ110A-DS
  • Lembaran data :pdf download MSMBJ110A Lembaran data
  • Keterangan : TVS DIODE UP 110VRWM 177VC DO-214AA, SMB
  • Kemasan :DO-214AA, SMB
  • Kuantitas :
    Harga satuan : $ 3.6Total : $ 3.60
  • Waktu Pengiriman :Dikirim Dalam Waktu 48 Jam
  • Asal Pengiriman :Gudang Shenzhen atau Hong Kong
  • Pengiriman :
    dhlupsfedex
  • Pembayaran :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Persediaan: 839
( MOQ : 1 PCS )
Harga (USD) : *Semua harga dalam USD
KuantitasHarga satuanTotal
10 +$ 3.6000$ 36.00
500 +$ 3.0000$ 1500.00

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MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ110A Spesifikasi teknis, atribut, parameter.
Kategori:Circuit Protection Devices/TVS - Diodes
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:DO-214AA, SMB
タイプ:Zener
周波数に対する静電容量:-
サプライヤーデバイスパッケージ:SMB (DO-214AA)
一方向チャネル:1
電圧 - 逆スタンドオフ(標準):110V
電圧 - 破壊(最小):122V
電圧 - クランプ(最大)@ Ipp:177V
電流 - ピークパルス (10/1000µs):3.4A
パワー - ピークパルス:600W
電力線保護:No
双方向チャネル:-
アプリケーション:General Purpose
MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ110A
MDE Semiconductor, Inc. は、回路保護製品に一心に注力する、革新的で品質志向のデバイス製造業者です。当社の過渡電圧サプレッサ ダイオード製品は、雷、静電放電 (ESD)、核電磁パルス (NEMP)、誘導スイッチングの破壊的な影響から電子システムを保護するために特別に設計されています。すべてのシリコン デバイスは、当社の有名な低リーク ガラス パッシベーション プロセスで製造されており、400 ワットから最大 288,000 ワットの高エネルギー吸収能力を備えています。TVS (過渡電圧サプレッサ ダイオード) 製品に注力している当社は、通信、自動車、コンピューター、産業用電子機器など、幅広い市場をカバーする要件について豊富な知識を持っています。MDE Semiconductor, Inc. は回路保護製品の市場リーダーであり、標準過渡電圧サプレッサ ダイオードの幅広いオプションと高電流 TVS ダイオード、サイリスタ、バリスタをお客様に提供しています。当社の製造施設は ISO 9001:2015 に準拠しています。
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