1 / 1

1 : $63.1080

Pendaftaran pertama kali dengan pesanan lebih dari $2.000 menerima kupon $100. Daftar sekarang !

Tagore Technology TA9410E

Name: TA9410E
Brand: Tagore Technology
SKU: TA9410E-DS
Price: 63.1080 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Persediaan: 1537

MOQ: 1

3 Tingkatan Harga

Bagian Produsen # :TA9410E
Pabrikan :Tagore Technology
Nomor Bagian Dasenic :TA9410E-DS
Lembaran data : TA9410E Lembaran data PDF
Keterangan : PA RF GAN PWR 25W .03-4GHZ 50V
Kemasan :-
HARGA SATUAN: $63.1080
Total: $63.11

Kuantitas	HARGA SATUAN	Menyimpan
1-1	$63.1080	-
2-100	$54.6210	13.4% Menyimpan
101-500	$50.7420	19.6% Menyimpan

Membantu Anda menghemat waktu dan uang.

Kontrol kualitas yang ketat dan kemasan produk yang dapat diandalkan.

Pengiriman cepat dan andal yang menghemat waktu Anda.

Kami menyediakan layanan purna jual dengan garansi 365 hari.

Tagore Technology TA9410E Spesifikasi teknis, atribut, parameter.

Kategori:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Status Produk:Active

Tegangan - Nilai:50 V

Paket / Kotak:8-VDFN Exposed Pad

Frekuensi:20MHz ~ 3GHz

Nilai Arus ( Ampere):30A

Paket Perangkat Pemasok:8-QFN (5x6)

Daya - Keluaran:25W

Jenis Transistor:GaN HEMT

Memperoleh:17dB

Tegangan - Uji:-

Angka Kebisingan:-

Saat Ini - Uji Coba:-

EU Status RoHS:ROHS3 Compliant

Peringkat MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Status MENCAPAI:REACH Unaffected

ECCN AS:EAR99

HTS AS:8542.33.0001

Status RoHS Tiongkok:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TA9410E disediakan oleh Tagore Technology

Tagore Technology didirikan pada bulan Januari 2011 untuk memelopori teknologi semikonduktor Gallium Nitride-on-Silicon (GaN-on-Si) untuk aplikasi Radio Frequency (RF) dan manajemen daya. Teknologi dan perangkat canggih milik kami secara signifikan mengurangi kompleksitas, ukuran, berat, dan konsumsi daya solusi sistem dengan harga yang kompetitif - memberikan Figure of Merit konversi daya yang jauh lebih baik dibandingkan dengan solusi Silicon. Kami adalah perusahaan semikonduktor fabless dengan pusat desain di Arlington Heights, Illinois, AS dan Kolkata, India. Tim R&D kami didedikasikan untuk mengembangkan solusi disruptif yang memanfaatkan teknologi wide bandgap yang membantu mengatasi tantangan desain RF dan daya bagi pelanggan kami dan mempercepat time-to-market untuk berbagai aplikasi mulai dari infrastruktur seluler 5G hingga konsumen, otomotif, serta pertahanan dan keamanan. Kami bermitra dengan pabrik semikonduktor dan rumah perakitan terkemuka untuk memberikan produk yang menawarkan kualitas premium dan keandalan tinggi yang terbukti.