Gambar adalah untuk referensi saja.

Share

1 : $3.0600

Pendaftaran pertama kali dengan pesanan lebih dari $2.000 menerima kupon $100. Daftar sekarang !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • Transphorm TP65H480G4JSG-TR

    GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
  • part number has RoHS
  • Bagian Produsen # :TP65H480G4JSG-TR
  • Pabrikan :Transphorm
  • Nomor Bagian Dasenic :TP65H480G4JSG-TR-DS
  • Lembaran data :pdf download TP65H480G4JSG-TR Lembaran data
  • Keterangan : GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
  • Kemasan :-
  • Kuantitas :
    Harga satuan : $ 3.06Total : $ 3.06
  • Waktu Pengiriman :Dikirim Dalam Waktu 48 Jam
  • Asal Pengiriman :Gudang Shenzhen atau Hong Kong
  • Pengiriman :
    dhlupsfedex
  • Pembayaran :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Persediaan: 9414
( MOQ : 1 PCS )
Harga (USD) : *Semua harga dalam USD
KuantitasHarga satuanTotal
1 +$ 3.0600$ 3.06
10 +$ 2.1150$ 21.15
100 +$ 1.5390$ 153.90
500 +$ 1.2960$ 648.00
1000 +$ 1.2510$ 1251.00

Permintaan Penawaran

Membantu Anda menghemat waktu dan uang.

Kontrol kualitas yang ketat dan kemasan produk yang dapat diandalkan.

Pengiriman cepat dan andal yang menghemat waktu Anda.

Kami menyediakan layanan purna jual dengan garansi 365 hari.

Transphorm TP65H480G4JSG-TR Spesifikasi teknis, atribut, parameter.
Kategori:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:3-SMD, Flat Lead
テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (5x6)
消費電力(最大):13.2W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.8V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9 nC @ 8 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 400 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):8V
Vgs (最大):±18V
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H480G4JSG-TR
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
Transphorm Rekomendasi produk terkait

Kami merespons dengan cepat permintaan pelanggan akan suku cadang elektronik, meskipun suku cadang tersebut jarang ada di pasaran.

Rating dan Ulasan

Rating

Silakan beri rating produk!

Silakan kirim komentar setelah masuk ke akun Anda.

  • RFQ